| 热致漂白效应对非晶Ge34Ga2S64薄膜结构和光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 陈昱,沈祥,王国祥,付晶,陈芬,李军,张巍,林常规,戴世勋,徐铁峰,聂秋华. 热致漂白效应对非晶Ge34Ga2S64薄膜结构和光学特性的影响[J]. 科技创新导报, 2012, 0(4): 718-723 |
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| 作者姓名： | 陈昱 沈祥 王国祥 付晶 陈芬 李军 张巍 林常规 戴世勋 徐铁峰 聂秋华 |
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| 作者单位： | 宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室,宁波大学红外材料及器件实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60978058,61008041);浙江省自然科学基金(Y1090996);宁波市新型光功能材料与器件创新团队基金(2009B21007);宁波自然基金(2011A610092);瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放课题(SKLST201010);宁波大学胡岚博士基金及王宽诚幸福基金;宁波大学优秀学位论文培育基金;浙江省大学生科技创新活动计划(2001R405055)资助项目 |
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| 摘 要： | 采用热蒸发法技术沉积Ge34Ga2S64非晶薄膜,并对薄膜样品在375℃热处理2h。通过分光光度计、表面轮廓仪和显微拉曼光谱仪测试热处理前后薄膜样品的透过曲线、薄膜厚度和拉曼结构。利用薄膜干涉曲线的波峰和波谷计算了薄膜的厚度和折射率,并根据Swanepoel方法以及Tauc公式分别计算了薄膜折射率色散曲线和光学带隙等参数。结果表明,Ge34Ga2S64非晶薄膜经热处理后发生热致漂白效应,大分子团簇以及Ge-Ge、S-S同极错键含量明显减少,网络结构无序性降低,从而引起薄膜的光学吸收边蓝移、折射率降低、表面粗糙度(Ra)降低0.515nm和光学带隙增大0.118eV。
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| 关 键 词： | Ge-Ga-S薄膜 热蒸发 光学参数 拉曼结构 热致漂白 |
Effect of thermal-bleaching on the structure and optical properties of thermally evaporated Ge34Ga2S64 film |
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| CHEN Yu,SHEN Xiang,WANG Guo-xiang,FU jing,CHEN Fen,LI Jun,ZHANG Wei,LIN Chang-gui,DAI Shi-xun,XU Tie-feng and NIE Qiu-hua. Effect of thermal-bleaching on the structure and optical properties of thermally evaporated Ge34Ga2S64 film[J]. Science and Technology Consulting Herald, 2012, 0(4): 718-723 |
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| Authors: | CHEN Yu SHEN Xiang WANG Guo-xiang FU jing CHEN Fen LI Jun ZHANG Wei LIN Chang-gui DAI Shi-xun XU Tie-feng NIE Qiu-hua |
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| Affiliation: | Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China,Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China and Laboratory of Infrared Material and Devices,Ningbo University,Ningbo 315211,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge-Ga-S film thermal evaporation optical parameters Raman structure thermal-bleaching |
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