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| 测量三种关键工艺参数的微电子测试结构 | |
| 引用本文： | 张安康.测量三种关键工艺参数的微电子测试结构[J].上海微电子技术和应用,1996(1):23-30. |
| 作者姓名： | 张安康 |
| 摘 要： | 本文叙述了Ｘ射线曝光掩膜的评估、Ｆ－Ｎ隧道电流检测氧化层厚度以及三角形栅ＭＯＳ管测量偏称钽的微电子测试结构，并讨论了量测的结果。 |
| 关 键 词： | 微电子测试结构 氧化层厚度 偏移量 VLSI |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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