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| SOI光开关速度和损耗的研究 | |
| 引用本文： | 陈媛媛,余金中,王小龙,李艳萍.SOI光开关速度和损耗的研究[J].光子技术,2003(1):15-19. |
| 作者姓名： | 陈媛媛 余金中 王小龙 李艳萍 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室，北京100083 |
| 摘 要： | 速度和损耗是光开关的两项重要特性指标。章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上，分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响，并相应的提出了一些改善方案。 |
| 关 键 词： | SOI 光开关 速度 损耗 全光传输网 |
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