首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部专业
化学
晶体学
力学
数学
物理学
学报及综合类
按
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目英文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
检索
薄SiO_2膜厚度的椭偏测量方法
引用本文:
张瑞智,罗晋生.薄SiO_2膜厚度的椭偏测量方法[J].物理,1989(5).
作者姓名:
张瑞智
罗晋生
作者单位:
西安交通大学 (张瑞智),西安交通大学(罗晋生)
摘 要:
应用常规椭偏方法测量膜厚小于 300A的薄SiO2膜厚度时,由于膜的折射率对已知参数比较敏感,因而测量误差较大.本文给出一种薄SiO2膜厚度的椭偏测量方法,引入等效入射角的概念,用曲线拟合求交点的办法精确确定了膜的折射率和厚度.
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号