|
|||||
|
|
| 用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷 | |
| 引用本文： | 王作新,魏雪晶,赖德生,关振东.用X射线研究碲镉汞晶体的缺陷[J].激光与红外,1984(1). |
| 作者姓名： | 王作新 魏雪晶 赖德生 关振东 |
| 摘 要： | 用x射线劳埃大斑点,以及x射线形貌术法,观察晶体表面结构,近年来已成为检查晶体的完整性和作为晶体选片的一种有效的方法之一。它的特点是照相速度快而且直观,其表面的相衬度与被分析晶片的表面结构,有非常好的对应关系。本文报导,用x射线研究碲镉汞晶体表面在热处理前后,其组织结构的状态变化,碲镉汞晶体生长方向的纵向偏离,小角度晶界的大小,以及碲溶剂法与再结晶法生长的碲镉汞晶体缺陷形态的比较。实验用(111)原子面做为参考面,(440)原子面为衍射面。x射线源为Cuka_1。在Lang相机上摄取形貌像。摄取劳埃大斑点像系用Co的连续谱为x射线源。其样品表面在拍照前, |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《激光与红外》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《激光与红外》下载免费的PDF全文 | |