| 分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜 |
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| 引用本文： | 梁基本,孙殿照,陈宗圭,黄运衡,孔梅影.分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜[J].半导体学报,1986,7(6):658-660. |
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| 作者姓名： | 梁基本 孙殿照 陈宗圭 黄运衡 孔梅影 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所
(梁基本，孙殿照，陈宗圭，黄运衡)，中国科学院半导体研究所(孔梅影) |
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| 摘 要： | 用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.
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