| 基于PECVD制备多晶硅薄膜研究 |
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| 引用本文： | 赵晓锋,温殿忠.基于PECVD制备多晶硅薄膜研究[J].人工晶体学报,2006,35(5):1151-1154. |
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| 作者姓名： | 赵晓锋 温殿忠 |
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| 作者单位： | 1. 黑龙江大学电子工程黑龙江省高校重点实验室,哈尔滨,150080
2. 黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨,150080 |
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| 基金项目： | 黑龙江省教育厅电子工程重点实验室科学技术研究项目(DZZD2006-12)，黑龙江大学集成电路重点实验室项目，黑龙江大学青年科学基金项目(QL200514) |
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| 摘 要： | 基于PECVD以高纯S iH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向。对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强。结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大。
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| 关 键 词： | PECVD 多晶硅薄膜 晶粒 退火 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）05-1151-04 |
| 收稿时间： | 01 23 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-01-23 |
Study on Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by PECVD |
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| ZHAO Xiao-feng,WEN Dian-zhong.Study on Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by PECVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(5):1151-1154. |
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| Authors: | ZHAO Xiao-feng WEN Dian-zhong |
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| Institution: | Heilongjiang Province Key Lab oratory of Senior-education for Electronic Engineering Heilongjiang University, Harbin 150080,China; Major Laboratory of Integrated Circuits, Heilongjiang University, Harbin 150080,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD polycrystalline silicon thin films grain annealed |
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