| 楔形瓣状结构对正向注入型Si-LED发光特性的影响 |
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| 引用本文： | 崔猛,谢生,毛陆虹,郭维廉,张世林,武雷,谢荣. 楔形瓣状结构对正向注入型Si-LED发光特性的影响[J]. 发光学报, 2015, 36(5) |
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| 作者姓名： | 崔猛 谢生 毛陆虹 郭维廉 张世林 武雷 谢荣 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 基于标准CMOS工艺的p+源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管(Si-LED),采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计制备.测试结果表明,正向注入型p+/n-well二极管的发射波长位于近红外波段,峰值波长在l 130 nm附近,且工作电压小于2V,与标准CMOS电路兼容.其中,八瓣结构的Si-LED (TS2)在200 mA时的发光功率可达1 200 nW,且未出现饱和,而注入电流为40 mA时的最大功率转换效率达5.8×10-6,约为四瓣结构器件(TSl)的2倍.所研制的Si-LED具有工作电压低、转换效率高等优点,有望在光互连领域得到应用.
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| 关 键 词： | 硅基发光二极管 正向注入 楔形结构 标准CMOS工艺 |
Effect of Wedged Petaloid Configuration on Luminescence Characteristics of Si-LED Fabricated in Standard CMOS Process |
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| CUI Meng,XIE Sheng,MAO Lu-hong,GUO Wei-lian,ZHANG Shi-lin,WU Lei,XIE Rong. Effect of Wedged Petaloid Configuration on Luminescence Characteristics of Si-LED Fabricated in Standard CMOS Process[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015, 36(5) |
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| Authors: | CUI Meng XIE Sheng MAO Lu-hong GUO Wei-lian ZHANG Shi-lin WU Lei XIE Rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si-based light emitting diode forward-injection wedge configuration standard CMOS technology |
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