| YVO4晶体缺陷分析 |
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| 引用本文： | 邹宇琦,李新军,徐军,干福熹,田玉莲,黄万霞. YVO4晶体缺陷分析[J]. 人工晶体学报, 2002, 31(1): 14-17 |
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| 作者姓名： | 邹宇琦 李新军 徐军 干福熹 田玉莲 黄万霞 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;上海大学,上海201800;中国科学院北京高能物理研究所国家同步辐射实验室,北京,100039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.60047003)资助项目 |
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| 摘 要： | 运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4的结构和缺陷行为,也观测了YVO4晶体(001)、(100)面的缺陷.发现在(001)面出现应力生长区、沿[100]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构.运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑,证明晶体为四方晶系.确定了小角晶界是引起多晶的主要原因.采用电子探针仪分析了散射颗粒形成是由杂质铁和铝的引入造成.
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| 关 键 词： | YVO4晶体 缺陷 同步辐射白光X射线形貌术 电子探针仪, |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)01-0014-04 |
| 修稿时间： | 2001-09-25 |
Study on Defects of YVO4 Crystal |
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