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| Gd_3Ga_(4.5)Al_(0.5)O_(12)单晶的低温磁性 | |
| 作者姓名： | 刘品清 |
| 作者单位： | 中国科学院低温技术实验中心 北京 |
| 摘 要： | 采用提拉法制备了Gd_3Ga_(4.5)Al_(0.5)O_(12)单晶。经X射线粉末照相证实为石榴石型单相结构。在T=1.5—77K温区内,测量了磁化强度和磁化率。并与GGG的数据作了比较。实验结果表明:在场强H<500Oe时,磁化率x与温度T的关系遵守居里——外斯定律,其有序温度T_N远低于1.5 K.H>10000Oe时,该材料的磁化强度(或磁化率)比GGG高3一4％。在特定温度下,允许使用的临界场H_临比GGG高约4000 Oe |
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