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拓扑绝缘体表面态的STM研究
引用本文:程鹏,张童,何珂,陈曦,马旭村,薛其坤. 拓扑绝缘体表面态的STM研究[J]. 物理, 2011, 40(7)
作者姓名:程鹏  张童  何珂  陈曦  马旭村  薛其坤
作者单位:1. 清华大学物理系低维量子物理国家重点实验室 北京 100084
2. 清华大学物理系低维量子物理国家重点实验室 北京 100084;中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京 100190
3. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 北京 100190
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10721404); 科技部量子调控重大研究计划(批准号:2009CB929400)资助项目
摘    要:文章主要介绍了利用扫描隧道显微镜对拓扑绝缘体表面态进行的一系列研究工作,包括拓扑绝缘体表面态的电子驻波以及拓扑表面态的朗道量子化现象.这些工作对于拓扑绝缘体基本性质的确立以及深入理解具有十分重要的意义.

关 键 词:拓扑绝缘体  电子驻波  朗道量子化  

Scanning tunneling microscope studies of topological insulators
CHENG Peng,ZHANG Tong,HE Ke,CHEN Xi,MA Xu-Cun,XUE Qi-Kun. Scanning tunneling microscope studies of topological insulators[J]. Physics, 2011, 40(7)
Authors:CHENG Peng  ZHANG Tong  HE Ke  CHEN Xi  MA Xu-Cun  XUE Qi-Kun
Abstract:We summarize recent scanning tunneling microscope studies of topological insulators, including the observation of electron standing waves and the Landau quantization of topological surface states. These works have contributed greatly to our understanding of topological insulators.
Keywords:topological insulators  electron standing waves  Landau quantization  
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