| 采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究 |
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| 引用本文： | 贺威,张正选,张恩霞,钱聪,田浩,王曦. 采用硅离子注入改进SIMOX埋氧的抗总剂量辐射性能研究[J]. 中国物理 C, 2007, 31(4): 388-390 |
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| 作者姓名： | 贺威 张正选 张恩霞 钱聪 田浩 王曦 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100049 |
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| 摘 要： | 采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)的绝缘体上硅(SOI)材料进行改性, 在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅NMOS/SOI晶体管, 并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验. 通过背栅的I-V特性表征晶体管的总剂量辐照特性. 结果表明, 在埋氧层注硅可以降低NMOS/SOI受辐照引起的背栅阈值电压漂移, 提高埋氧层的抗总剂量能力.
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅 离子注入 总剂量辐射效应 阈值电压漂移 |
| 收稿时间： | 2006-07-14 |
| 修稿时间： | 2006-07-14 |
Improvement of the Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides by Silicon Ion Implantation |
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| HE Wei,ZHANG Zheng-Xuan,ZHANG En-Xia,QIAN Cong,TIAN Hao,WANG Xi. Improvement of the Radiation Hardness of SIMOX Buried Oxides by Silicon Ion Implantation[J]. High Energy Physics and Nuclear Physics, 2007, 31(4): 388-390 |
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| Authors: | HE Wei ZHANG Zheng-Xuan ZHANG En-Xia QIAN Cong TIAN Hao WANG Xi |
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| Affiliation: | 1Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China; 2 Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon on insulator ion implantation total-dose radiation effect threshold voltage shift |
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