| Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展 |
| |
| 引用本文： | 孔月婵,郑有炓. Ⅲ族氮化物异质结构二维电子气研究进展[J]. 物理学进展, 2006, 26(2): 127-145 |
| |
| 作者姓名： | 孔月婵 郑有炓 |
| |
| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:601360206027603160290080)，国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683)，国家高技术研究与发展计划基金(批准号:2002AA305304) |
| |
| 摘 要： | 本文总结了近年来Ⅲ族氮化物半导体异质结构二维电子气的研究进展。从Ⅲ族氮化物材料晶格结构和特有的极化性质出发,重点讨论了AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的性质,总结分析了异质结构中Al组分、势垒层厚度、应变弛豫度、掺杂等对二维电子气浓度和迁移率的影响,同时还涉及AlGaN/GaN/AlGaN,AlGaN/AlN/GaN和AlGaN/InGaN/GaN等异质结构二维电子气性质。
|
| 关 键 词： | Ⅲ族氮化物异质结构 二维电子气 综述 自发极化 压电极化 迁移率 |
| 文章编号： | 1000-0542（2006）02-0127-19 |
| 收稿时间： | 2006-02-16 |
| 修稿时间： | 2006-02-16 |
PROGRESS IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS IN GROUP-Ⅲ-NITRIDE HETEROSTRUCTURES |
| |
| KONG Yue-chan,ZHENG You-dou. PROGRESS IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS IN GROUP-Ⅲ-NITRIDE HETEROSTRUCTURES[J]. Progress In Physics, 2006, 26(2): 127-145 |
| |
| Authors: | KONG Yue-chan ZHENG You-dou |
| |
| Affiliation: | Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Department of Physics, Nanjing University, 22 # Hankou Road, Nanjing 210093 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
