| Direct-PECVD a-SiOx:H/a-SiNx:H 叠层系统对多晶硅电池的钝化研究 |
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| 引用本文： | 王振交,季静佳,施正荣,李果华.Direct-PECVD a-SiOx:H/a-SiNx:H 叠层系统对多晶硅电池的钝化研究[J].人工晶体学报,2009,38(2):387-391. |
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| 作者姓名： | 王振交 季静佳 施正荣 李果华 |
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| 作者单位： | 江南大学理学院,无锡,214122;尚德太阳能电力有限公司,无锡,214028;尚德太阳能电力有限公司,无锡,214028;江苏省光伏能源工程技术研究中心,无锡,214028;江南大学理学院,无锡,214122;江苏省光伏能源工程技术研究中心,无锡,214028 |
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| 摘 要： | 本文中应用全部PECVD工艺沉积a-SiOx:H、a-SiNx:H,和a-SiOx:H/a-SiNx:H叠层系统,比较了不同钝化膜对多晶硅太阳能电池发射极和背面钝化效果,应用FGA、RTP等热处理方法对钝化膜进行处理,重点讨论了FGA(Forming gas annealing)温度和时间的长短对钝化的影响.结果表明:低温FGA对只有单面钝化膜的硅片钝化效果不明显,而在800 ℃下FGA有明显作用,而且钝化效果随着时间的增加呈现出先增大后减小然后再增大的现象;退火后降温环境中是否有H和降温时间对钝化效果有很大的影响,但是对于双面膜无论FGA温度高低对钝化都有帮助,文中对上述现象做了合理的解释.最后利用双面叠层钝化膜经过FGA处理后得到的多晶硅片的少子寿命达到14.2 μs,比镀膜之前的3.0 μs提高了11.2 μs,使多晶硅太阳能电池暗电压 Voc达到630 mV.
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| 关 键 词： | PECVD a-SiOx:H/a-SiNx:H 少子寿命 FGA 多晶硅 |
Investigation on mc-Si Passivation Using Direct-PECVD a-SiO_x:H/a-SiN_x:H Stack System |
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| WANG Zhen-jiao,JI Jing-jia,SHI Zheng-rong,LI Guo-hua.Investigation on mc-Si Passivation Using Direct-PECVD a-SiO_x:H/a-SiN_x:H Stack System[J].Journal of Synthetic Crystals,2009,38(2):387-391. |
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| Authors: | WANG Zhen-jiao JI Jing-jia SHI Zheng-rong LI Guo-hua |
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| Institution: | 1.School of Science;Jiangnan University;Wuxi 214122;China;2.Suntech Power Co.;Ltd.;Wuxi 214028;3.Jiangsu Photovoltaic Engineering Technical Center;China |
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| Abstract: | a-SiOx:H, a-SiNx:H and a-SiOx:H/a-SiNx:H stack system for mc-Si passivation thin films all deposited using direct PECVD. FGA and RTP were used to treat the as-grown passivation films and the temperature and process time of the FGA were investigated. For single side deposition, we found we couldn't get improvement on minority carrier lifetime under whatever processing time if low temperature FGA was used. But did works for double side deposition. Also we found the lifetime showed increasing-decreasing-increa... |
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| Keywords: | PECVD a-SiOx:H/a-SiNx:H FGA |
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