MRAM技术有望取代DRAM和SRAM

德国国家物理技术研究院（PTB）研发小组进行了一项实验，通过磁性介质以从物理学角度理论上可行的最快速度完成数据的存储和读写。这将有助于使磁阻式随机存取存储器（MRAM）的读写速度赶上相应的电子存储器件。