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| 纳米硅薄膜结构分析 | |
| 引用本文： | 何宇亮,殷晨钟,程光煦,王路春,李齐.纳米硅薄膜结构分析[J].半导体学报,1992,13(11):683-689. |
| 作者姓名： | 何宇亮 殷晨钟 程光煦 王路春 李齐 |
| 作者单位： | 南京大学物理系固体微结构实验室 南京210008 (何宇亮，程光煦，王路春)，江南大学电子工程系 无锡214063 (殷晨钟)，南京大学物理系固体微结构实验室 南京210008(李齐) |
| 摘 要： | 在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能. |
| 关 键 词： | 薄膜 纳米硅 |
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