| ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化 |
| |
| 引用本文： | 刘玉岭,邢哲,檀柏梅,王新,李薇薇.ULSI多层铜布线钽阻挡层及其CMP抛光液的优化[J].半导体技术,2004,29(7):18-20,34. |
| |
| 作者姓名： | 刘玉岭 邢哲 檀柏梅 王新 李薇薇 |
| |
| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金
,
河北省自然科学基金 |
| |
| 摘 要： | 分析了铜多层布线中阻挡层的选取问题,根据铜钽在氧化剂存在的情况下,抛光速率对pH值的不同变化趋势,提出优化碱性抛光液配比进而改变pH值,以达到铜钽抛光一致性的方法,并进行了相应的实验研究.
|
| 关 键 词： | 化学机械抛光 抛光液 多层布线 阻挡层 选择性 |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)07-0018-03 |
Tantalum barrier layer of copper interconnection in ULSI and optimization of CMP slurry |
| |
| LIU Yu-ling,XING Zhe,TAN Bai-mei,WANG Xin,LI Wei-wei.Tantalum barrier layer of copper interconnection in ULSI and optimization of CMP slurry[J].Semiconductor Technology,2004,29(7):18-20,34. |
| |
| Authors: | LIU Yu-ling XING Zhe TAN Bai-mei WANG Xin LI Wei-wei |
| |
| Abstract: | The selection of barrier layer metal in copper interconnection is analyzed. Under thecondition of oxidant in existence,the removal rate of copper and tantalum have a opposite move-ment trend with the changing of pH value. We advanced a method that optimize the content of slurry,which changed the pH value at the same time, to obtain a uniform removal rate of copper and tanta-lum during CMP process, and we carried some corresponding experiments out to study that. |
| |
| Keywords: | CMP slurry multilevel metallization barrier layer selectivity |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
