|
|||||
|
|
| In掺杂ZnO电子结构的第一性原理研究 | |
| 作者姓名： | 刘小村 季燕菊 赵俊卿 刘立强 孙兆鹏 董和磊 |
| 作者单位： | 1. 山东建筑大学理学院,济南,250101 2. 山东建筑大学材料科学与工程学院,济南,250101 3. 山东大学物理学院,济南,250100 4. 山东师范大学物理与电子科学学院,济南,250014 |
| 基金项目： | 山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(批准号:2006BSB01447)资助的课题. |
| 摘 要： | 采用第一性原理平面波超软赝势,计算了纤锌矿ZnO和不同掺杂量下In掺杂ZnO晶体的能带结构、态密度和分波态密度.计算表明,In的掺杂导致ZnO禁带宽度变窄.随着掺杂量的增大,InxZn1－xO的导带底和价带顶同时下降,但是导带底比价带顶下降得多,这导致了带隙的变窄.此外,In掺杂使晶胞晶格常数增大,这对带隙的变窄也有一定作用. |
| 关 键 词： | 密度泛函理论 电子结构 In掺杂ZnO |
| 收稿时间： | 2009-09-30 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |