| 气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究 |
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| 引用本文： | 莫春兰,李鹏,王立,熊传兵,彭学新,辛勇,姚冬敏,李述体,江风益.气流混合对生长GaN∶Si膜性能影响的研究[J].光学学报,2002,22(2). |
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| 作者姓名： | 莫春兰 李鹏 王立 熊传兵 彭学新 辛勇 姚冬敏 李述体 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学材料科学研究所,南昌,330047 |
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| 基金项目： | 国家 8 6 3新材料领域 (715 0 0 1 0 0 12 )，国家自然科学基金 (6 96 76 0 19)，江西省跨世纪人才基金资助课题 |
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| 摘 要： | 用金属有机化学气相沉积技术在三种不同型号的反应管中生长了GaN∶Si膜。通过对样品的光电及结晶性能的分析 ,研究了气流混合时间不同对GaN∶Si膜性质的影响。结果表明 :合理的Ⅲ、Ⅴ族气流混合对提高GaN∶Si膜的光电及结晶性能很重要。Ⅲ、Ⅴ族气流混合太早 ,气流混合时间长 ,GaN∶Si膜的黄带与带边发射强度之比较大 ,X射线双晶衍射半高宽较宽 ;Ⅲ、Ⅴ族气流混合太晚 ,尽管可减少预反应 ,但气流混合不均匀 ,致使GaN∶Si膜的发光性能及结晶性能变差。使用Ⅲ、Ⅴ族气流混合适中的反应管B生长 ,获得了光电及结晶性能良好的GaN∶Si单晶膜。
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| 关 键 词： | GaN∶Si 金属有机气相沉积技术 黄带 |
Properties Dependence of GaN∶Si Films on Gas Flow Mixture |
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| Mo Chunlan,Li Peng,Wang Li,Xiong Chuanbing,Peng Xuexin,Xin Yong,Yao Dongmin,Li Shuti,Jiang Fengyi.Properties Dependence of GaN∶Si Films on Gas Flow Mixture[J].Acta Optica Sinica,2002,22(2). |
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| Authors: | Mo Chunlan Li Peng Wang Li Xiong Chuanbing Peng Xuexin Xin Yong Yao Dongmin Li Shuti Jiang Fengyi |
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