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抛光压力和抛光垫硬度对PMMA-CeO_2核壳复合磨粒抛光性能的影响(英文)
作者单位:;1.常州大学材料科学与工程学院
摘    要:磨粒结构在化学机械抛光(CMP)过程中发挥重要作用。利用化学沉积技术在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)表面嫁接氧化铈(CeO_2)纳米粒子,得到了核壳结构的PMMA-CeO_2复合颗粒。借助X射线衍射、傅里叶转换红外光谱、场发射扫描电镜、透射电镜和选区电子衍射等手段对样品结构进行表征。结果表明,硝酸铈用量对CeO_2复合颗粒的壳层厚度及均匀性具有明显影响。以氧化硅片作为加工对象,利用原子力显微镜对比了PMMA-CeO_2复合磨粒与商用CeO_2纳米粒子的抛光特性,发现所得复合磨粒有助于消除划痕和改善表面质量。且随着抛光垫硬度的降低和抛光压力的减小,抛光表面粗糙度和轮廓起伏均随之降低。本文旨在为通过优化工艺参数提高复合磨粒的抛光效果提供实验和理论依据。

关 键 词:聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)  氧化铈(CeO2)  复合磨粒  核壳结构  化学机械抛光(CMP)

Effects of Polishing Pressure and Pad Hardness on Polishing Performance of PMMA-CeO_2 Core-Shell Composite Abrasives
Abstract:
Keywords:
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