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| 密度泛函理论方法研究6H-SiC(0001)表面对氧分子和水分子的吸附（英文） | |
| 作者姓名： | 付纯鹤 卢辉丽 孙少瑞 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十五研究所;北京工业大学环境与能源工程学院绿色催化与分离北京市重点实验室 |
| 摘 要： | 本文通过密度泛函方法计算6H-SiC(0001)表面对氧分子和水分子的吸附.在6H-SiC(0001)表面上吸附的O_2分子自发地解离成O~*,并被吸收在C与Si原子之间的空位上.吸附的H_2O自发地分解成OH~*和H~*,它们都被吸附在Si原子的顶部,OH~*进一步可逆地转化为O~*和H~*.H~*可以使Si悬键饱和并改变O~*的吸附类型,并进一步稳定6H-SiC(0001)表面并防止其转变为SiO_2. |
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