| MX2型二维半导体载流子迁移率理论预测 |
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| 引用本文： | 何远德,黄志硕,覃检涛,张文旭. MX2型二维半导体载流子迁移率理论预测[J]. 化学研究与应用, 2019, 31(2): 239-246 |
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| 作者姓名： | 何远德 黄志硕 覃检涛 张文旭 |
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| 作者单位： | 西南民族大学计算中心,四川 成都 610041;电子科技大学电子科学与工程学院,四川 成都 611731;电子科技大学电子科学与工程学院,四川 成都,611731 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家高技术研究发展计划（863计划）;资助的课题 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 二维半导体 迁移率 形变势 |
The upper limit of electron and hole mobilities in two dimensional MX_2 semiconductors |
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| Affiliation: | (Center of computing science,Southwest Minzu University,Chengdu 610041,China;State key laboratory of electronic thin films and integrated devices,University ofElectronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Abstract: | HE Yuan-de;HUANG Zhi-suo;QIN Jian-tao;ZHNA Wen-xu(Center of computing science,Southwest Minzu University,Chengdu 610041,China;State key laboratory of electronic thin films and integrated devices,University ofElectronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Keywords: | Two dimensional semiconductors mobility deformation potential |
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