首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向
引用本文:张雅婷,徐章程,李菲晖.Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向[J].人工晶体学报,2006,35(4):728-731.
作者姓名:张雅婷  徐章程  李菲晖
作者单位:南开大学泰达应用物理学院,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;天津大学化学化工学院,天津,300072
基金项目:国家自然科学基金(No.60444010,No.60506013),南开大学引进人才科研启动基金,教育部留学回国人员科研启动基金,长江学者和创新团队发展计划资助
摘    要:采用电化学沉积技术在Si衬底上沉积了Cu膜.场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒, 并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关.在Si(100) 衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加.在相同沉积条件下,在斜切角较小的Si(111)和Si(100)衬底上择优取向面都是铜 (220) 面,而在斜切角为4°的Si(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面.

关 键 词:Cu  电沉积  Si衬底  择优取向  
文章编号:1000-985X(2006)04-0728-04
收稿时间:02 6 2006 12:00AM
修稿时间:2006-02-06

Morphology and Preferential Orientation of Electro-deposited Cu/Si Thin Films
ZHANG Ya-ting,XU Zhang-cheng,LI Fei-hui.Morphology and Preferential Orientation of Electro-deposited Cu/Si Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(4):728-731.
Authors:ZHANG Ya-ting  XU Zhang-cheng  LI Fei-hui
Abstract:
Keywords:Cu  electro-deposition  Si substrate  preferential orientation
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号