硅表面上构筑烷烃单层膜的分子模拟 |
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引用本文: | 苑世领,蔡政亭,肖莉,徐桂英,刘永军.硅表面上构筑烷烃单层膜的分子模拟[J].中国科学B辑,2002,32(6):502-508. |
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作者姓名: | 苑世领 蔡政亭 肖莉 徐桂英 刘永军 |
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作者单位: | 1. 山东大学理论化学研究所,济南,250100;山东大学胶体与界面化学教育部重点实验室,济南,250100 2. 山东大学理论化学研究所,济南,250100 3. 山东大学胶体与界面化学教育部重点实验室,济南,250100 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(批准号:20173032) |
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摘 要: | 用分子力学方法模拟了十二烷烃在硅表面的单层膜的排列情况. 从中发现: 十二烷烃在硅表面的覆盖率约为50%, (8×8)大小的模拟格子即可描述烷烃链在硅表面的空间排列. 同时讨论了不同取代方式对单层膜的影响, 并比较了酯基和甲基终止的硅表面单层膜的空间排列方式, 模拟结果与实验测量基本吻合. 结果表明: 分子模拟方法可以作为实验手段的一种辅助工具, 在分子水平上为实验提供理论支持和微观信息.
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关 键 词: | 分子模拟 分子力学 硅表面烷烃单层膜 |
收稿时间: | 2002-01-28 |
修稿时间: | 2002年1月28日 |
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