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| 金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理 | |
| 引用本文： | 俞建华,孙承休,高中林,魏同立,王启明.金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理[J].半导体学报,1999,20(5):421-424. |
| 作者姓名： | 俞建华 孙承休 高中林 魏同立 王启明 |
| 作者单位： | [1]东南大学电子工程系 [2]中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合．电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一个负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的峰显示，在硅／二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡． |
| 关 键 词： | 隧道二极管 MIS 硅基 发光器件 |
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