| PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析 |
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| 引用本文： | 张晓玲,胡奈赛,何家文.PCVD氮化硼膜形成过程及表面形貌的分析[J].人工晶体学报,1999,28(2):177-181. |
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| 作者姓名： | 张晓玲 胡奈赛 何家文 |
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| 作者单位： | 西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，， |
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| 摘 要： | 采用红外分析、金相技术及和透射电子显微(TEM)技术分析了射频PCVD法沉积氮化硼膜的形成过程.结果表明,在沉积过程中,非晶态氮化硼(a-BN)作为领先相首先按平面方式生长,然后立方氮化硼(c-BN)在其上成核,并靠沉积原子表面迁移过程而长大,这种过程交替进行的结果,使膜层由a-BN和c-BN组成.膜层的表面呈层状+胞状形貌,说明薄膜的生长不仅取决于固体表面的扩散,而且也与气相成分的扩散有关.
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| 关 键 词： | 立方氮化硼 薄膜形成 等离子体化学气相沉积(PCVD) 超硬材料 形貌 |
Surface Morphology Patterns and Growth Process of PCVD Boron Nitride (BN) Films |
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| Zhang Xiaoling,Hu Naisai,He Jiawen.Surface Morphology Patterns and Growth Process of PCVD Boron Nitride (BN) Films[J].Journal of Synthetic Crystals,1999,28(2):177-181. |
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| Authors: | Zhang Xiaoling Hu Naisai He Jiawen |
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