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| 非晶半导体薄膜与大面积电子学 | |
| 引用本文： | 陈坤基.非晶半导体薄膜与大面积电子学[J].现代物理知识,1991,2(3):12-11. |
| 作者姓名： | 陈坤基 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 教授、“固态薄膜”国际顾问委员会委员 |
| 摘 要： | 经过近20年的发展,非晶半导体的研究--特别是氢化非晶硅(α-Si:H)--已成为当前凝聚态物理和固态电子学中最活跃的领域之一.这类新型的电子材料之所以能引起人们的极大兴趣和高度重视,是因为这类材料具有广阔的应用前景,而它的性质却还未得到理论上的解释;薄膜制备技术还需进一步改进、完善,器件的重要用途尚在研究与探索之中.当今大家所熟悉的晶体管、集成电路以及由其作为有源元件制备的收音机、电视机、计算机等都是以晶态半导硅(C-Si)和砷化镓(C-GaAs)等材料制成. |
| 关 键 词： | 大面积电子学 非晶半导体薄膜 固态电子学 有源驱动 多结结构 X光探测器 图象传真 非晶态半导体 TFT阵列 有源材料 |
| 收稿时间： | 1990-6-8 |
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