| HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究 |
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| 引用本文： | 周文洪,叶振华,胡晓宁,丁瑞军,何力.HgCdTe干法刻蚀的掩模技术研究[J].激光与红外,2007,37(B09):928-930. |
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| 作者姓名： | 周文洪 叶振华 胡晓宁 丁瑞军 何力 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院上海技术物理研究所材料与器件研究中心,上海200083 [2]中国科学院研究生院,北京100039 |
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| 摘 要： | 文章报道了HgCdTe微台面列阵ICP干法刻蚀掩模技术研究的初步结果。首先采用常规光刻胶作为HgCdTe材料的ICP干法刻蚀掩模。扫描电镜结果发现，由于刻蚀的选择比低，所以掩模图形退缩严重，刻蚀端面的平整度差，台面侧壁垂直度低。因此采用磁控溅射生长的SiO2掩模进行了相同的HgCdTe干法刻蚀。结果发现，SiO2掩模具有更高的选择比和更好的刻蚀端面。但是深入的测试表明，介质掩模的生长对HgCdTe表面造成了电学损伤。最后通过优化生长条件，获得了无损伤的磁控溅射生长SiO2掩模技术。
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| 关 键 词： | HgCdTe 刻蚀掩模 干法刻蚀 磁控溅射 SiO2 |
| 文章编号： | 1001-5078（2007）增刊-0928-03 |
| 修稿时间： | 2007-07-06 |
Study on Mask Technology of HgCdTe Etched by Inductively Coupled Plasma Dry Etching |
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| ZHOU Wen-hong, YE Zhen-hua , HU Xiao-ning , DING Rui-jun , HE Li.Study on Mask Technology of HgCdTe Etched by Inductively Coupled Plasma Dry Etching[J].Laser & Infrared,2007,37(B09):928-930. |
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| Authors: | ZHOU Wen-hong YE Zhen-hua HU Xiao-ning DING Rui-jun HE Li |
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| Institution: | 1. Center of Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China;2. Graduate School of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100039, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HgCdTe etching mask dry etching magnetron sputtering SiO2 |
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