| Sm2-xCexCuO4单晶的赝能隙行为研究 |
| |
| 引用本文： | 柴一晟,杨宏顺,刘剑,余旻,曹烈兆.Sm2-xCexCuO4单晶的赝能隙行为研究[J].低温物理学报,2004,26(1):26-30. |
| |
| 作者姓名： | 柴一晟 杨宏顺 刘剑 余旻 曹烈兆 |
| |
| 作者单位： | 中国科学技术大学物理系,结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,结构分析开放实验室,合肥,230026;中国科学技术大学物理系,结构分析开放实验室,合肥,230026 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 我们在电子型超导体Sm1.85Ce0.15CuO4中首次观察到赝能隙的证据.研究了在O2中不同退火时间,单晶Sm1.85Ce0.15CuO4样品的电阻率ρ和热电势S,电阻率ρ的测量结果显示退火后样品高温区电阻率ρ、dρ/dT和热电势的斜率dS/dT斜率增加,意味着载流子浓度下降,与减小Ce掺杂量x的作用等效.所有的样品S～T和ρ～T曲线在某个温度T*下都发生斜率的改变,该转变温度随着退火时间的增加而向高温区移动,而且越来越明显.这可能是因为该温度下赝能隙被打开,热电势曲线在某个温度下存在一个最小值,这是载流子局域化的表现;热电势曲线上50K附近观察到一个明显的声子曳引峰,正的峰值表示载流子符号在低温区发生了改变,即由高温的电子型变为低温的空穴型,与霍尔系数实验中斜率变化一致.
|
| 关 键 词： | 电子型超导体 输运性质 热电势 |
| 修稿时间： | 2003年4月10日 |
THE PSEUDOGAP BEHAVIOR IN ELECTRO-DOPED Sm2-xCexCuO4 SINGLE CRYSTAL |
| |
| CHAI YI-SHENG YANG HONG-SHUN LIU JIAN YU MIN CAO LIE-ZHAO Structrual Research lab,Physics.THE PSEUDOGAP BEHAVIOR IN ELECTRO-DOPED Sm2-xCexCuO4 SINGLE CRYSTAL[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2004,26(1):26-30. |
| |
| Authors: | CHAI YI-SHENG YANG HONG-SHUN LIU JIAN YU MIN CAO LIE-ZHAO Structrual Research lab Physics |
| |
| Institution: | CHAI YI-SHENG YANG HONG-SHUN LIU JIAN YU MIN CAO LIE-ZHAO Structrual Research lab,Physics Department,University of Science and Technology of China,Hefei,Anhui 230026 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | perovskite phase superconductors transport properties thermoelectric power |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
