| 三辛胺修饰碳糊电极测定电子引脚中的Cr(Ⅵ) |
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| 引用本文： | 陈智栋,邓雪爽,王文昌,周益明,许娟.三辛胺修饰碳糊电极测定电子引脚中的Cr(Ⅵ)[J].分析试验室,2010,29(2). |
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| 作者姓名： | 陈智栋 邓雪爽 王文昌 周益明 许娟 |
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| 作者单位： | 1. 江苏工业学院化学工程系,常州,213164;常州江工阔智电子技术有限公司,常州,213164
2. 江苏工业学院化学工程系,常州,213164
3. 江苏省精细石油化工重点实验室,常州,213164 |
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| 基金项目： | 江苏省精细石油化工重点实验室开放基金(KF0701);;江苏省自然科学基金(BK2008543);;江苏工业学院科学技术研究开发基金(ZMF07020026) |
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| 摘 要： | 采用三辛胺(TOA)修饰碳糊电极(TOA/CPE)测定了Cr(Ⅵ)含量,并考察了最佳的实验条件。当富集时间为10 min,富集介质为0.15 mol/L H2SO4时,TOA/CPE能够有效地富集Cr(Ⅵ)。以溶出伏安法测定Cr(Ⅵ),在-0.45 V(vs.SCE)处有灵敏的还原峰,峰电流与Cr(Ⅵ)浓度在5.0×10-7~1.0×10-3mol/L范围内呈现良好的线性关系。干扰试验显示TOA/CPE对Cr(Ⅵ)具有高选择性,能够在Cr(Ⅲ)浓度是Cr(Ⅵ)600倍时准确测定Cr(Ⅵ),检出限达3.4×10-9mol/L(S/N=3)。TOA/CPE测定了实际样品电子引脚中的Cr(Ⅵ),实验结果与紫外分光光度法结果一致。
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| 关 键 词： | 碳糊电极 三辛胺 Cr（Ⅵ） |
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