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用STM针尖诱导热致气化模式的纳米级
引用本文:雷晓钧,陈海峰,刘忠范.用STM针尖诱导热致气化模式的纳米级[J].中国科学B辑,2001,31(1).
作者姓名:雷晓钧  陈海峰  刘忠范
作者单位:北京大学化学与分子工程学院, 纳米科学技术中心, 北京100871
基金项目:国家自然科学基金,国家自然科学基金,香港研究资助局资助项目,国家自然科学基金
摘    要:以扫描探针显微镜(SPM)为基础的超高密度信息存储是近年来信息存储领域的热点研究之一.其基本原理是利用SPM针尖诱导存储介质表面形貌变化、导电性质改变、电荷分离等来记录信息.提出利用STM隧道电流的焦耳热效应诱导材料发生气化分解的热化学烧孔模式的STM存储新原理,并在电荷转移复合物TEA(TCNQ)2上成功地得到大面积信息孔阵列.空洞大小均一,最小直径约8nm.该存储模式有明显的优点:由于STM隧道电流波及范围很小,只要存储材料的导热性不是很好,则气化分解局限于非常小的范围,从原理上保证了存储的超高密度;写入可靠率非常高,达到99%以上;存储材料具有可设计性,易于优化材料的存储性能.

关 键 词:超高密度存储  气化  焦耳热  TEA(TCNQ)2
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