| 发光金属配合物8-羟基喹啉镓(Gaq3)的 |
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| 引用本文： | 苏忠民,高洪泽,程红,初蓓,陈丽华,王荣顺,王悦,沈家骢.发光金属配合物8-羟基喹啉镓(Gaq3)的[J].中国科学B辑,2001,31(1). |
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| 作者姓名： | 苏忠民 高洪泽 程红 初蓓 陈丽华 王荣顺 王悦 沈家骢 |
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| 作者单位： | 1. 东北师范大学化学学院, 功能材料化学研究所, 长春 130024；吉林大学理论化学研究所, 教育部超分子结构与谱学开放实验室, 长春 130023
2. 东北师范大学化学学院, 功能材料化学研究所, 长春 130024
3. 吉林大学理论化学研究所, 教育部超分子结构与谱学开放实验室, 长春 130023 |
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| 基金项目： | 教育部优秀青年教师资助计划，吉林省科技发展计划 |
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| 摘 要： | 利用abinitioHF和密度泛函理论(DFT)B3LYP方法,对有机发光材料8-羟基喹啉镓(Gaq3)进行了几何结构优化,系统分析前线分子轨道特征和能级分布规律以探索其电子跃迁的机理.对3种Gaq3衍生物及其高聚物进行分子设计,分析它们的发光可能性及配体对光谱性质的影响.揭示Gaq3及其衍生物所形成的高分子体系的能带分布特征和规律.结果表明,电子在基态与激发态间的跃迁,主要是在配体8-羟基喹啉环内或环间的电荷转移,主要为π-π*跃迁.电子从含O的苯酚环转移至含N的吡啶环上,O为电子的给体,N为电子的受体.电荷转移的途径应有两种方式:一种是通过喹啉环上的C原子环内传递;另一种则是通过金属离子对配体8羟基喹啉的有效支撑,加强了环间相互作用,促进电子的转移.Gaq3衍生物的分子设计将有效提供合成发光材料的一个方向.
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| 关 键 词： | 8-羟基喹啉镓 ab initio DFT 电子性质 能带结构 |
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