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| N型6H-SiC MOS电容的电学特性 | |
| 引用本文： | 王姝睿,刘忠立,梁桂荣,梁秀芹,马红芝.N型6H-SiC MOS电容的电学特性[J].半导体学报,2001,22(6). |
| 作者姓名： | 王姝睿 刘忠立 梁桂荣 梁秀芹 马红芝 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京 100083 |
| 摘 要： | 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010cm-2;SiC与SiO2之间的势垒高度估算为2.67eV;SiC热生长SiO2的本征击穿场强(用累计失效率50%时的场强来计算)为12.4MV/cm,已达到了制作器件的要求. |
| 关 键 词： | 碳化硅 MOS电容 |
Electrical Characterization of n-Type 6H-SiC MOS Capacitors |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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