| GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料 |
| |
| 引用本文： | 邹德恕,徐晨,陈建新,史辰,杜金玉,高国,沈光地,黄大定,李建平,林兰英.GSMBE生长的用于研制HBT的SiGe/Si异质结材料[J].半导体学报,2001,22(8). |
| |
| 作者姓名： | 邹德恕 徐晨 陈建新 史辰 杜金玉 高国 沈光地 黄大定 李建平 林兰英 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,
2. 中国科学院半导体研究所材料中心, |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 用GSMBE法生长了Si/SiGe/Si异质结构材料．采用双台面结构制造了SiGe/Si NPN异质结晶体管．在发射结条宽为4μm,面积为4μm×18μm的条件下，其共发射极直流放大倍数为75，截止频率为20GHz．给出了结构设计、材料生长和器件制作工艺．
|
| 关 键 词： | 气态源分子束外延 Si/SiGe HBT 双台面结构 |
SiGe/Si Material Grown by GSMBE |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
