|
|||||
|
|
| 高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化 | |
| 引用本文： | 王哲,吴郁,亢宝位,程序. 高电流密度GAT型功率开关晶体管的结构设计优化[J]. 半导体学报, 2001, 22(11) |
| 作者姓名： | 王哲 吴郁 亢宝位 程序 |
| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022 |
| 摘 要： | 对GAT(Gate Associated Transistor)型高速高压功率开关管提出了一些新的结构改进设想,包括两种新的平面版图设计以及改变栅区掺杂浓度,以解决其最大集电极电流远小于常规双极功率管这个关键问题,并对此进行了计算机仿真及试验研究仿真及试验结果都证明最大集电极电流得到大幅度提高 |
| 关 键 词： | 栅辅助晶体管 最大集电极电流 版图 扩散表面浓度 |
Structure Design Optimization of GAT Type Power Switching Transistors |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |