| 分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响 |
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| 引用本文： | 刘宝利,王炳燊,徐仲英.分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响[J].半导体学报,2001,22(3). |
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| 作者姓名： | 刘宝利 王炳燊 徐仲英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
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| 摘 要： | 从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ0/2和λ0腔不同情况的最佳生长模式.
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| 关 键 词： | 半导体平面微腔 光学传输矩阵 |
Effects of DBR on Properties of Semiconductor Microcavity |
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| LIU Bao-li,WAGN Bing-shen,XU Zhong-Ying.Effects of DBR on Properties of Semiconductor Microcavity[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(3). |
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| Authors: | LIU Bao-li WAGN Bing-shen XU Zhong-Ying |
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| Abstract: | Using the transfer-matrix scheme,the effects of DBR's growth sequence have been studied on the properties of semiconductor planar microcavity,in particular on the spatial position of the amplifier maximum of electric field and the mode selection properties of the photon field.The best growing-mode of DBR for λ0/2 and λ0 cavities，is also given. |
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| Keywords: | |
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