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| ULSI铜互连线技术中的电镀工艺 | |
| 引用本文： | 张国海,钱鹤,夏洋,王文泉,龙世兵.ULSI铜互连线技术中的电镀工艺[J].半导体学报,2001,22(8). |
| 作者姓名： | 张国海 钱鹤 夏洋 王文泉 龙世兵 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子中心, 2. 北京科技大学, |
| 摘 要： | 通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法，成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中，实现了对高宽比为1μm∶0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充．方阻测试表明，所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ*cm，X射线衍射分析结果显示出的Cu（111）的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求． |
| 关 键 词： | 集成电路 铜互连 电镀 |
Electroplating Technology for Copper Interconnection in ULSI |
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