|
|||||
|
|
| 6H-SiC高压肖特基势垒二极管 | |
| 引用本文： | 王姝睿,刘忠立,徐萍,葛永才,姚文卿,高翠华.6H-SiC高压肖特基势垒二极管[J].半导体学报,2001,22(8). |
| 作者姓名： | 王姝睿 刘忠立 徐萍 葛永才 姚文卿 高翠华 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所, |
| 摘 要： | 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖特基二极管具有较好的整流特性：反向击穿电压约为450V,室温下，反向电压VR=-200V时,反向漏电流JL=5×10-4A*cm-2；理想因子为1.09,肖特基势垒高度为1.24—1.26eV，开启电压约为0.8V． |
| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SiC |
6H-SiC High-Voltage Schottky Barrier Diodes |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 | |