一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET |
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引用本文: | 刘英坤,梁春广,王长河,李思渊. 一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET[J]. 半导体学报, 2001, 22(7) |
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作者姓名: | 刘英坤 梁春广 王长河 李思渊 |
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作者单位: | 1. 兰州大学物理系;河北半导体研究所 2. 河北半导体研究所, 3. 兰州大学物理系, |
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摘 要: | 采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力.
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关 键 词: | 抗辐射加固 双层栅介质 功率VDMNOSFET |
A Radiation Hardened Power Device--VDMNOSFET |
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