| 77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路 |
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| 引用本文： | 叶红飞,高玉芝,金海岩,罗葵,宁宝俊,莫邦燹,张广勤,张利春.77K下工作的双层多晶硅发射区RCA器件和电路[J].半导体学报,2001,22(9). |
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| 作者姓名： | 叶红飞 高玉芝 金海岩 罗葵 宁宝俊 莫邦燹 张广勤 张利春 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所, |
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| 摘 要： | 研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用自对准双极结构,生长一层RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益-温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器在室温下其工作频率为1.1-1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.
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| 关 键 词： | 双极器件 RCA晶体管 多晶硅发射区 液氮温度 ECL集成电路 |
Double-Polysilicon Emitter RCA Devices and ICs at 77K |
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