| 亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性 |
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| 引用本文： | 朱晖文,刘晓彦,沈超,康晋锋,韩汝琦.亚0.1μm高K栅介质MOSFETs的特性[J].半导体学报,2001,22(9). |
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| 作者姓名： | 朱晖文 刘晓彦 沈超 康晋锋 韩汝琦 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所, |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化.这种退化可以通过改变侧墙材料来抑制.
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| 关 键 词： | 高K材料 栅介质 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 |
Characterization of Sub-100nm MOSFETs with High K Gate Dielectric |
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| ZHU Huiwen,LIU Xiaoyan,SHEN Chao,KANG Jinfeng,HAN Ruqi.Characterization of Sub-100nm MOSFETs with High K Gate Dielectric[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(9). |
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| Authors: | ZHU Huiwen LIU Xiaoyan SHEN Chao KANG Jinfeng HAN Ruqi |
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| Abstract: | The short-channel performance of typical 70nm MOSFETs with high K gate dielectric is widely studied by using a two dimensional(2-D) device simulator.The short-channel performance is degraded from the fringing field and lower the source/drain junction resistance.The sidewall material is found very useful to eliminate the fringing-induced berrier lowing effect. |
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