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| 高压Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管 | |
| 引用本文： | 王姝睿,刘忠立,李国花,于芳,刘焕章.高压Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管[J].半导体学报,2001,22(8). |
| 作者姓名： | 王姝睿 刘忠立 李国花 于芳 刘焕章 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所, |
| 摘 要： | 在N型6H-SiC外延片上，通过热蒸发，制作Ti／6H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)．通过化学气相淀积，进行同质外延生长，详细测量并分析了肖特基二极管的电学特性，该肖特基二极管具有较好的整流特性．反向击穿电压约为400V，室温下，反向电压VR＝200V时，反向漏电流JR低于1×10－4A／cm2．采用Ne离子注入形成非晶层，作为边缘终端，二极管的击穿电压增加到约为800V． |
| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基势垒二极管 6H-SiC |
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