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| 在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异 | |
| 引用本文： | 韩培德,段晓峰,孙家龙,张泽,王占国.在蓝宝石衬底两个相反c面同时生长氮化镓薄膜的差异[J].半导体学报,2001,22(8). |
| 作者姓名： | 韩培德 段晓峰 孙家龙 张泽 王占国 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室, 2. 中国科学院凝聚态物理中心,北京电子显微镜实验室, 3. 天津市半导体技术研究所,天津市理化分析中心, |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 运用金属有机气相外延设备，在蓝宝石衬底两个相反取向的c面上同时生长六方相氮化镓薄膜．对此进行了扫描电子显微镜、俄歇电子能谱、透射电子显微镜的分析和研究．发现这两个薄膜有许多不同之处． |
| 关 键 词： | 极性 GaN MOVPE 微观结构 |
Difference Between GaN Films Grown on Two Opposite Oriented c-Al2O3 Substrates |
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