| 利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究 |
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| 引用本文： | 霍宗亮,毛凌锋,谭长华,许铭真.利用弛豫谱技术对界面陷阱密度和其能量分布的研究[J].半导体学报,2003,24(1):18-23. |
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| 作者姓名： | 霍宗亮 毛凌锋 谭长华 许铭真 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所 北京100871
(霍宗亮，毛凌锋，谭长华)，北京大学微电子学研究所 北京100871(许铭真) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划 (No.G2 0 0 0 -0 3 65 0 3 )，高校博士点基金资助项目~~ |
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| 摘 要： | 基于界面陷阱的定义 ,通过分别对亚阈值摆幅漂移和亚阈区栅电压漂移采用弛豫谱技术有效地提取了1.9nm MOS结构中的界面陷阱密度和它的能量分布 .发现这两种方法提取的界面陷阱密度的能量分布是自洽的 ,同时也与文献报道的 DCIV等方法的结果是一致的 .与其它的提取方法相比 ,采用弛豫谱技术的这两种方法更加简单和方便 .
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| 关 键 词： | 弛豫谱技术 界面陷阱 MOS结构 |
Energy Dependence of Interface Trap Density--Investigated by Relaxation Spectral Technique |
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| Huo Zongliang,Mao Lingfeng,Tan Changhua,Xu MingZhen.Energy Dependence of Interface Trap Density--Investigated by Relaxation Spectral Technique[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(1):18-23. |
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| Authors: | Huo Zongliang Mao Lingfeng Tan Changhua Xu MingZhen |
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| Abstract: | According to the definition of interface traps,a new application of relaxation spectral technique to sub-threshold swing shift and sub-threshold gate voltage shift is proposed to extract interface trap density in 1.9nm MOSFET.And thus the energy distribution of interface trap can be determined.According to the two methods,the energy profile of interface traps agrees with those reported in literature.Compared to other methods,this method is simpler and more convenient. |
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| Keywords: | relaxation spectral technique interface trap MOS structure |
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