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| 晶格弛豫和黄-Rhys多声子跃迁理论 | |
| 引用本文： | 朱邦芬.晶格弛豫和黄-Rhys多声子跃迁理论[J].物理,1990(9). |
| 作者姓名： | 朱邦芬 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 固体中局域电子态(如半导体深能级、固体发光中心等)与周围晶格原子之间存在的相互作用,使晶格原子的平衡位置发生或多或少的移动.对于不同的电子态(譬如基态或激发态),原子的平衡位置将有所不同.这种依赖于电子态的晶格畸变现象常称为晶格弛豫.近年的发展日益证明,晶格弛豫是局域电子态的一项基本特征,能够引起许多重要效应.局域电子与晶格较强的耦合会导致光吸收峰与发光峰的增宽,这在较早以前就已经被认识到.然而,其确切的理论基础──晶格弛豫,则是由黄昆先生与后来成为他终身伴侣的李爱扶先生(A.Rhys )于1950年建立的 . 根据晶格弛豫… |
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