| 半导体量子器件物理讲座 第二讲 高电子迁移率晶体管（HEMT） |
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| 引用本文： | 王良臣.半导体量子器件物理讲座 第二讲 高电子迁移率晶体管（HEMT）[J].物理,2001,30(4):223-229. |
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| 作者姓名： | 王良臣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所!北京100083 |
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| 摘 要： | 文章从异质界面的三角势阱中二维电子气的形成入手，计算了二维电子气的量子化能级及其面电子密度，对HEMT器件材料结构参数的优化、器件的电荷控制模型I－V特性作了分析。
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| 关 键 词： | 二维电子气 高电子迁移率晶体管 势阱 量子化能级 面电子密度 工作原理 异质结 材料结构 |
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS |
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| WANG Liang\|Chen.HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS[J].Physics,2001,30(4):223-229. |
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| Authors: | WANG Liang\|Chen |
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| Abstract: | Assuming the formation of a two\|dimensional electron gas in a triangular potential well at the heterointerinface we calculate both the quantized energy level and the interface sheet electron concentration. Optimization of high the electron mobility transistors, the charge control model and the current\|voltage characteristics of these transistors are then analyzed. |
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| Keywords: | DEG HEMT potential well |
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