| 截止波长12μm的p型-InAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的熔体外延生长 |
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| 引用本文： | 高玉竹,王卓伟,龚秀英.截止波长12μm的p型-InAs_(0.04)Sb_(0.96)材料的熔体外延生长[J].光子学报,2009,38(5). |
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| 作者姓名： | 高玉竹 王卓伟 龚秀英 |
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| 作者单位： | 同济大学,电子与信息工程学院,上海,201804 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60777022)资助 |
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| 摘 要： | 为了获得P型的长波长InAsSb材料并研究掺杂剂Ge对材料特性的影响，用熔体外延法生长了掺Ge的波长为12μm的P型-InAsSb外延层．用傅里叶红外光谱仪、VanderPauw法和电子探针微分析研究了材料的透射光谱、电学性质以及组分的分布．结果表明，两性杂质Ge在熔体外延生长的InAs0.01Sb0.96材料中起受主杂质作用．当外延层的组分相同时，材料的截止波长不随掺Ge浓度的变化而变化，但是随着外延层中掺Ge量的增加，外延层的透射率下降．掺杂原子Ge在外延层的表面及生长方向的分布都是相当均匀的．77K下测得，载流子浓度为9．18×10^16cm^-3的掺Ge的P型-InAS0.01Sb0.96样品，其空穴迁移率达到1120cm^2·Vs^-1.
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| 关 键 词： | InAsSb P-型 截止波长 空穴迁移率 组分分布 |
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