| P／I界面处理对a-Si：H柔性太阳能电池性能的影响 |
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| 引用本文： | 雷青松,徐火希,王晓晶,季峰,徐静平.P／I界面处理对a-Si：H柔性太阳能电池性能的影响[J].人工晶体学报,2008,37(5). |
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| 作者姓名： | 雷青松 徐火希 王晓晶 季峰 徐静平 |
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| 作者单位： | 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 华中科技大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理.在此基础上,制备P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜与柔性太阳能电池.对P型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究.结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的P型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性.其中的成核层,不仅促进微晶相P层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用.
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| 关 键 词： | p型微晶硅 界面处理 柔性太阳能电池 |
Influence of the P/I Interface Treatment on the Properties of a-Si: H Solar Cells |
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| LEI Qing-song,XU Huo-xi,WANG Xiao-jing,JI Feng,XU Jing-ping.Influence of the P/I Interface Treatment on the Properties of a-Si: H Solar Cells[J].Journal of Synthetic Crystals,2008,37(5). |
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| Authors: | LEI Qing-song XU Huo-xi WANG Xiao-jing JI Feng XU Jing-ping |
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