| 表面活性剂CTMAB对阴极溶出伏安法测定硒的增敏作用的研究 |
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| 引用本文： | 施清照,邬建敏,陈建. 表面活性剂CTMAB对阴极溶出伏安法测定硒的增敏作用的研究[J]. 浙江大学学报(理学版), 1995, 22(3): 282 |
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| 作者姓名： | 施清照 邬建敏 陈建 |
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| 作者单位： | 杭州大学化学系!310028 |
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| 摘 要： | 硒(N)在pH 2. 09的Britton-Robinson缓冲溶液中，于一0. 59V (VS,SCE)处有一阴极溶出峰，当阳离子表面活性剂澳化十六烷基三甲钱(CTMAB)存在时，能使该阴极溶出峰峰高增高约l0倍.峰高与硒(N)浓度在2. 53 X 10-a ^-1. 52 X 10-' mol/L范围内呈线性关系，检出限为5.27X10-'mol/L(富集5min ).本文详细讨论了测定硒(N)的最佳条件及增敏机理，用该法测定了国家标准参考物质—海洋生物贻具、人发中的硒，结果令人满意.
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| 关 键 词： | 硒 CTMAB 阴极溶出伏安法 |
Study of Enhanced Sensitivity on Cathodic Voltammetry of Selenium in the Presence of Surfactant CTMAB |
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| Si QingZhao Wu JianMing Chen Jian. Study of Enhanced Sensitivity on Cathodic Voltammetry of Selenium in the Presence of Surfactant CTMAB[J]. Journal of Zhejiang University(Sciences Edition), 1995, 22(3): 282 |
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| Authors: | Si QingZhao Wu JianMing Chen Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | selenium CTMAB cathodic stripping voltammetry |
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