| 混合物理化学气相沉积法制备蓝宝石衬底外延MgB2薄膜性质的研究 |
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| 引用本文： | 丁莉莉,陈莉萍,李芬,冯庆荣,熊光成. 混合物理化学气相沉积法制备蓝宝石衬底外延MgB2薄膜性质的研究[J]. 低温物理学报, 2006, 28(2): 107-111 |
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| 作者姓名： | 丁莉莉 陈莉萍 李芬 冯庆荣 熊光成 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 北京大学校科研和校改项目，中国科学院资助项目 |
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| 摘 要： | 我们用混合物理化学气相沉积(Hybridphysicalchemicalvapordeposition简称为HPCVD)法在αAl2O3(00l)衬底上原位制备了一批超导性能良好的外延MgB2超导薄膜样品.用10%浓度的乙硼烷(B2H6)氢气混合气作为原料,研究了不同条件对MgB2薄膜沉积速率的影响.在一定条件下制备了一批MgB2薄膜,厚度为200nm左右,样品的零电阻转变温度(Tc0)最高达到39K.X射线衍射分析的θ～2θ扫描表明,MgB2薄膜的晶粒都具有较好的C轴取向,对样品的(101)面Φ扫描结果显示MgB2薄膜晶格与衬底有很好的外延取向,取向关系为[1010]MgB2∥[1120]Al2O3.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=9.8×106A/cm2.这些结果表明HPCVD技术在MgB2外延薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.
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| 关 键 词： | MgB2薄膜 X射线衍射图 SEM图 R～T曲线 M～H曲线 |
| 收稿时间： | 2005-11-09 |
| 修稿时间： | 2005-11-09 |
GROWTH AND PROPERTIES OF SUPERCONDUCTING EPITAXIAL MgB 2 THIN FILM FABRICATED ON Al 2O 3 SUBSTRATE BY HYBRID PHYSICAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
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| Ding Li-Li,Chen Li-Ping,Li Fen,Feng Qing-Rong,Xiong Guang-Cheng. GROWTH AND PROPERTIES OF SUPERCONDUCTING EPITAXIAL MgB 2 THIN FILM FABRICATED ON Al 2O 3 SUBSTRATE BY HYBRID PHYSICAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J]. Chinese Journal of Low Temperature Physics, 2006, 28(2): 107-111 |
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| Authors: | Ding Li-Li Chen Li-Ping Li Fen Feng Qing-Rong Xiong Guang-Cheng |
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| Keywords: | MgB_ 2 thin films X-ray diffraction patterns SEM image R~T curve magnetic hysteresis |
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